开云-英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆，突破技术极限并提高能效

[导读]【2024年10月29日, 德国慕尼黑讯】继公布推出全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆和在马来西亚居林建玉成球最年夜的200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂以后，英飞凌科技股分公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）再次在半导体系体例造手艺范畴获得新的里程碑。英飞凌在处置和加工史上最薄的硅功率晶圆方面获得了冲破性进展，这类晶圆直径为300㎜，厚度为20μm。厚度唯一头发丝的四分之一，是今朝最早进的40-60μm晶圆厚度的一半。 【2024年10月29日, 德国慕尼黑讯】继公布推出全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆和在马来西亚居林建玉成球最年夜的200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂以后，英飞凌科技股分公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）再次在半导体系体例造手艺范畴获得新的里程碑。英飞凌在处置和加工史上最薄的硅功率晶圆方面获得了冲破性进展，这类晶圆直径为300㎜，厚度为20μm。厚度唯一头发丝的四分之一，是今朝最早进的40-60μm晶圆厚度的一半。 英飞凌科技首席履行官Jochen Hanebeck暗示：“这款全球最薄的硅晶圆揭示了我们致力在经由过程鞭策功率半导体手艺的成长，为客户缔造不凡的价值。英飞凌在超薄晶圆手艺方面的冲破标记着我们在节能功率解决方案范畴迈出了主要一步，而且有助在我们充实阐扬全球低碳化和数字化趋向的潜力。凭仗这项手艺冲破，英飞凌把握了Si、SiC和GaN这三种半导体材料，巩固了我们在行业立异方面的领先优势。” 这项立异将有助在年夜幅提高功率转换解决方案的能效、功率密度和靠得住性，合用在AI数据中间，和消费、机电节制和计较利用。与基在传统硅晶圆的解决方案比拟，晶圆厚度减半可将基板电阻下降 50%，从而使功率系统中的功率消耗削减15%以上。对高端AI办事器利用来讲，电流增年夜会鞭策能源需求上升，是以，将电压从 230 V 下降到 1.8 V 以下的处置器电压，对功率转换来讲尤其主要。超薄晶圆手艺年夜年夜增进了基在垂直沟槽 MOSFET 手艺的垂直功率传输设计。这类设计实现了与AI芯片处置器的高度慎密毗连，在削减功率消耗的同时，提高了整体效力。 英飞凌科技电源与传感系统事业部总裁Adam White暗示：“新型超薄晶圆手艺鞭策了我们以最节能的体例为从电网到焦点的分歧类型的AI办事器设置装备摆设供给动力的大志。跟着AI数据中间的能源需求年夜幅上升，能效变得日趋主要。这给英飞凌带来了快速成长的机缘。基在中双位数的增加率，估计我们的AI营业收入在将来两年内将到达10亿欧元。” 因为将芯片固定在晶圆上的金属叠层厚度年夜在20μm，是以为了降服将晶圆厚度下降至20μm的手艺障碍，英飞凌的工程师们必需成立一种立异而怪异的晶圆研磨方式。这极年夜地影响了薄晶圆后背的处置和加工。另外，与手艺和出产相干的挑战，如晶圆翘曲度和晶圆分手，对确保晶圆不变性和一流稳健性的后端装配工艺也有重年夜影响。20μm薄晶圆工艺以英飞凌现有的制造手艺为根本，确保新手艺可以或许无缝集成到现有的多量量Si出产线中，而不会发生额外的制造复杂性，从而包管尽量高的产量和供给平安性。 该手艺已取得承认，并被利用在英飞凌的集成智能功率级（直流-直流转换器）中，且已交付给首批客户。同时，该手艺还具有与 20 μm晶圆手艺相干的壮大专利组合，表现了英飞凌在半导体系体例造范畴的立异领先优势。跟着今朝超薄晶圆手艺的成长，英飞凌猜测在将来三到四年内，现有的传统晶圆手艺将被用在低压功率转换器的替换手艺所代替。这项冲破进一步巩固了英飞凌在市场上的怪异地位。英飞凌今朝具有周全的产物和手艺组合，笼盖了基在Si、SiC和GaN的器件，这些器件是鞭策低碳化和数字化的要害身分。 11月12-15日，英飞凌将在2024年慕尼黑国际电子元器件展览会（C3展厅502号展台）上公然展现首款超薄硅晶圆。

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