开云-TrendForce集邦咨询: HBM5 20hi后产品将采用Hybrid Bonding技术，或引发商业模式变革

[导读]Oct. 30, 2024 ---- HBM产物已成为DRAM财产存眷核心，这使得Hybrid Bonding (夹杂键合)等进步前辈封装手艺成长备受注视。按照TrendForce集邦咨询最新研究，三年夜HBM原厂正在斟酌是不是在HBM4 16hi采取Hybrid Bonding，并已肯定将在HBM5 20hi世代中利用这项手艺。 Oct. 30, 2024 ---- HBM产物已成为DRAM财产存眷核心，这使得Hybrid Bonding (夹杂键合)等进步前辈封装手艺成长备受注视。按照TrendForce集邦咨询最新研究，三年夜HBM原厂正在斟酌是不是在HBM4 16hi采取Hybrid Bonding，并已肯定将在HBM5 20hi世代中利用这项手艺。 与已普遍利用的Micro Bump (微凸块)堆叠手艺比拟，Hybrid Bonding因为不设置装备摆设凸块，可容纳较多堆叠层数，也能容纳较厚的晶粒厚度，以改良翘曲问题。利用Hybrid Bonding的芯片传输速度较快，散热结果也较好。 TrendForce集邦咨询暗示，三年夜原厂已肯定将在HBM3e 12hi和HBM4 12hi世代延续利用Advanced MR-MUF和TC-NCF堆叠架构。对HBM4 16hi和HBM4e 16hi世代，因Hybrid Bonding未较Micro Bump具较着优势，还没有法判定哪种手艺能受青睐。若原厂决议采取Hybrid Bonding，首要缘由应是为和早履历新堆叠手艺的进修曲线，确保后续HBM4e和HBM5顺遂量产。三年夜业者考量堆叠高度限制、IO密度、散热等要求，已肯定在HBM5 20hi世代利用Hybrid Bonding。 但是，采取Hybrid Bonding需面临多项挑战。如原厂投资新装备导入新的堆叠手艺，将架空对Micro Bump的需求，也不再享有本来积累的手艺优势。Hybrid Bonding另有微粒节制等手艺问题待降服，将晋升单元投资金额。另外，因为Hybrid Bonding需以Wafer to Wafer模式堆叠，若front end(前端)出产良率太低，整体出产良率将不具经济效益。 TrendForce集邦咨询指出，采取Hybrid Bonding可能致使HBM的贸易模式呈现转变。利用Wafer to Wafer模式堆叠，须确保HBM base die(根本裸晶)与memory die(内存裸晶)的晶粒尺寸完全一致;而前者的设计是由GPU/ASIC业者主导，是以，同时供给base die和GPU/ASIC foundry(晶圆代工)办事的TSMC(台积电)可能将担当base die与memory die堆叠重担。若循此模式成长，估计将影响HBM业者在base die设计、base die与memory die堆叠，和整体HBM接单等贸易环节的财产地位。

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